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半导体新材料行业报告:硅片、光刻胶、CMP材料、光掩模、溅射靶材、电子特气、湿化学品、石英(95页)

行业报告下载 2020-03-19 41 管理员

根据德勤咨询和普华永道分析,2019 年,由于通信和数据处理应用市场增长乏力,全球半 导体市场增速放缓。但预计 2020 年-2022 年受汽车和工业半导体应用市场增长拉动,全 球半导体市场将会进入新的一轮上行周期。如图所示,根据普华永道咨询数据,2019 至 2022 年,通信和数据处理依然占据半导体下游应用市场中主要地位,预计至 2022 年,二 者市场共计将达 3650 亿美元,占下游全部市场的 63.5%。增速方面,2018-2022 年间以汽 车和工业应用半导体市场增幅最快,CAGR 分别为 12.14%和 10.67%,同时二者的市场放量 绝对数值也为所有细分应用中最高,预计 2018-2022 年汽车和工业应用半导体市场将分别 放量 250 亿和 270 亿美元。

半导体终端市场上行拉升硅晶圆产能增长,从而拉动半导体制造材料的采购需求上升,半 导体制造材料行业因之得以快速发展。 半导体制造材料分为硅片、光掩膜、光刻胶及辅助材料、湿化学品、电子特气、溅射靶材、 CMP 抛光材料、石英材料等。不同种类材料介绍如下。 硅片:硅片是晶圆合成的衬底,半导体硅片均为单晶硅,要求硅片纯度为 99.9999999%(9N) 以上。作为晶圆制造的原材料,硅片质量直接决定了晶圆制造环节的稳定性。按尺寸,硅 片可分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸硅片等,按加工步骤,硅片可分为抛光片、退火片、外 延片、节隔离片等。 光刻胶:光刻胶又名“光致抗蚀剂”,是一种在紫外光等光照或辐射下,溶解度会发生变 化的薄膜材料。光刻胶是集成电路制造的关键基础材料之一,是光刻技术中最关键的功能 性化学材料,广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及半导体分立器件的微细加工等过程。 按曝光波长不同,光刻胶可分为 i/g 型光刻胶、KrF 型光刻胶、ArF 型光刻胶等。 光掩膜:光掩膜一般也称光罩、掩膜版,是微电子制造中光刻工艺所使用的图形母版,由 不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形,并通过曝光将图形转印到产品基板上制造。 在芯片制造过程中需要经过十几甚至几十次的光刻,每次光刻都需要一块光刻掩膜版,每 块光刻掩膜版的质量都会影响光刻的质量,从而影响最终制备芯片的品质。

CMP 材料:化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing, CMP)是集成电路(IC)制造过程 中的关键技术,通过使用化学腐蚀及机械力对加工过程的单晶硅片和金属布线层进行平坦 化。CMP 材料主要包括抛光液、抛光垫、调节器、CMP 清洗以及其他等耗材,其中抛光 液和抛光垫占 CMP 材料细分市场的 80%以上,是 CMP 工艺的核心材料。 溅射靶材:高纯度溅射靶材应用于电子元器件制造的物理气相沉积工艺,是半导体金属化 的关键材料。芯片制造对溅射靶材金属纯度的要求通常达到 99.9995%以上。除纯度之外, 芯片对溅射靶材内部微观结构等也设定了极其苛刻的标准,以保证最终制造的芯片品质。 电子特气:电子特气指半导体生产环节中,如延伸、离子注进、掺和、洗涤、遮掩膜形成 过程中使用到化学气体,即气体类别中的电子气体,比如高纯度的 SiH4、PH3、AsH3、B2H6、 N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等。这些气体通过不同的制程使硅片具有 半导体性能,也决定了集成电路的性能、集成度、成品率。

半导体新材料行业报告:硅片、光刻胶、CMP材料、光掩模、溅射靶材、电子特气、湿化学品、石英(95页)

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资源名称:半导体新材料行业报告:硅片、光刻胶、CMP材料、光掩模、溅射靶材、电子特气、湿化学品、石英(95页)


标签: 3C电子|微纳电子|家电

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