记忆体存储器行业报告：行业曙光已现（16页）

除了手机之外，服务器约占 34%的 2020 年全球 DRAM 内存用量，在预估 2020 年全球服务器市场同比增长 10%（DRAMeXchange 仅预估 3.8%同比增 长），2021 年同比增长 22%，及 2019-2024 年的 13%复合增长率 CAGR，每 台服务器插满内存模组的云端服务器客户增长大幅超过企业端及政府端客户 （英特尔公布 4Q19 云端服务器客户同比增长 48%，但企业端及政府端客户同 比衰退 7%），加上每台服务器因 CPU 及 DRAM 的速度加快，CPU 跟内存 DRAM 的数据通道将于英特尔在今年推出 56 核心 14nm++ Cooper Lake 及 38 核心 10nm+ Ice Lake 后，从 6 通道改成 8 通道，这三个原因将驱动每台服务 器 DRAM 的使用容量增加，我们因此预估服务器用 DRAM 内存用量将在 2020 年同比增长 25-30%， 2021 年同比增长近 40%， 并于 2024 年超过整体 DRAM 用量的一半以上。跟 DRAM 内存市场类似，就全球 NAND 闪存市场而言，目前主要的需求 驱动力是占比近 47%的手机用 NAND, 而每台 5G 手机配备 128-256GB 的 NAND 闪存 （vs. 4G 手机配备 64-128GB 的 NAND 闪存）, 我们估计手机用 NAND 于 2020/2021 年可同比增长近 30％ （全球手机同比增长 1-4%，每台手 机 NAND 容量因为 5G 数据传输量增加，而手机 NAND 需要 25%的复合增长 率）。虽然我们应该关注国内闪存 NAND 大厂长江存储及手机用内存 DRAM 大 厂合肥长鑫的扩产进度及资本开支计划是否造成全球存储器行业的供给过剩， 但因为这些国内大厂量产初期，良率不佳，再受到新型冠状病毒影响设备验收 及装机（我们预期长江存储美国／日本／欧洲的半导体设备移入将延迟数月）， 还有就是设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个世代的差距（长江存储的 64 层 NAND vs. 三星／海力士／Kioxia/ 镁光的 96/112/128层 NAND， 合肥长鑫 的 1x DRAM vs. 三星／海力士/ 镁光的 1z DRAM）而造成其品质，规格种类， 数量，成本及其价格均不具市场竞争力，所以我们目前预估其全球存储器 DRAM+NAND 半导体市场份额在 2022 年，应该不会超过 5%。

根据 2020 年全球存储器大厂平均资本开支占营收比率应该低于 37%及 2020 年存储器资本开支同比衰退至少超过 15%的测算，及各大厂对于 2020 年 初步的扩产计划，我们目前初估 2020 年全球内存 DRAM 产能（bit supply  growth）同比将增加 15-17%，全球闪存 NAND 产能 ( bit supply growth) 同比 将增加 30-35%, 这应该是 1-2 个点低于 2020 年的需求，所以内存 DRAM 会从 2019 年 5 个点的供过于求转变成 2020 下半年 2 个点的供不应求（－2%  sufficiency ratio）。而闪存 NAND 会从 2019 年 1 个点的供过于求转变成 2020 下半年 4-6 个点的供不应求（－4 to -6% sufficiency ratio）。在预期 2020 年 5G 手机放量到 1.7-2.0 亿台，2021 年到 3.5-4.0 亿台 (我 们因武汉肺炎而从原本 2020 年的 2 亿及 2021 年的 4 亿台预估数下修)，2020 年服务器同比增长近 10%，2021 年同比增长达 22%，这让今年下半年 DRAM 及 NAND 的 Sufficiency ratio 将由正转负（从供过于求到供不应求），预期将造 成存储器价格由 2020 年上半年的同比衰退，转为 2020 年下半年的同比增长及v四季度的双位数同比增长，但由于美国持续封锁（甚至考虑加大力度）华为使 用美国的半导体技术，中国大陆采取全面式非美替代（用三星，海力士， Kioxia, 南亚来取代镁光及西部数据产出的 DRAM／NAND）。我们认为未来几 年韩国，日本，中国台湾，国内存储器行业的增长会明显优于镁光及西部数据 的增长。