中国半导体设备行业报告（29页）

先进制程对设备需求显现日益加速增长。半导体技术制程随着摩尔定律的节奏 而进步，每更新一代工艺制程，则需更新一代更为先进的制程设备。以台积电 为例，每个节点的投资额迅速攀升，其中 16nm 制程 1 万片/月产能投资 15 亿美元，7nm 制 程 1 万片/月产能投资估计 30 亿美元，5nm 制程 1 万片/月 产能投资估计 50 亿美元，而 3nm 则预估需要 100 亿美元。拆分细分半导体设备投资占比，光刻、沉积、刻蚀和清洗等投资占比较高 根据 SEMI 历史数据，按照产业链上下游来看晶圆制造及处理设备类投资金额 最大，占总设备投资的 81%；封测环节设备投资约占总设备投资的 15%，晶圆 制造及处理设备为半导体行业中固定资产的核心。 晶圆制造设备投资中主要分为光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、 湿法设备、过程检测等六大类设备，其中光刻、刻蚀和薄膜沉积设备等占比较 高，光刻机约占总体设备销售额的 30%，刻蚀约占 20%，薄膜沉积设备约占 25%(PVD 15%、CVD 10%)。

主要核心设备领域仍然海外厂商主导，2018 年全球半导体设备厂商 CR4 达到 57%，CR10 达到 78%，市场集中度相对较高。国内设备厂家在单晶炉、刻蚀、 沉积、划片、减薄等环节实现逐步突破，多个中高端产业链环节依赖国外进口。国外 EUV 光刻机龙头为 ASML、尼康、佳能等，ASML 为龙头已能够实现前 道 5nm 光刻。上海微电子是国内顶尖的光刻机制造商，公司封装光刻机国内市 占率 80%，全球 40%，光刻机实现 90nm 制程，并有望延伸至 65nm 和 45nm， 公司承担多个国家重大科技专项及 02 专项任务。在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：湿法腐蚀和干法刻蚀，目前全球主流 刻蚀工艺为干法刻蚀。 在湿法刻蚀中，液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般 只是用在尺寸较大的情况下（大于 3 微米）。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态 中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化 学反应，从而去掉曝露的表面材料。