半导体设备行业报告：产业变革，三大产线招标看国产 IC 设备（28页）

产线产能情况以及资本支出的规划情况是下游厂商设备采购的关键信 号。本章中我们重点分析了内资产线的扩产节奏以及规划的资本支出情 况，得出：长江存储、华虹无锡与华虹 FaB6 三条产线是 2019 年的主要 推动力，同时积塔半导体对于厂商的订单金额也有所拉动； 2020 年及 之后设备行业将从少量产线拉动变为多条产线拉动，下游需求进一步增 大。 从总投资额来看，下表中 2019 年所统计产线的设备总投资额可以达到 587 亿元，同比增长 85%。而 2020 年设备总投资额达到 993 亿元，同 比增长 70%。（由于 2019 年中芯国际主要扩产的是先进制程的 FinFET 产线以及粤芯半导体第一批设备采购主要以海外设备为主，这两条产线 2019 年对国产设备贡献都很小，因此 2019 年实际拉动效果低于表格中 所示的情况；剔除上述影响之后，2019 年国产 IC 设备主要依靠长江存 储和华虹系产线拉动增长。）

在代工产线方面，华虹系 2019 年有一定贡献，其他产线贡献多集中在 2020 年及以后。 （1）代工龙头中芯国际 2019 年对国产设备需求虽然同比下降但预计其 2020 年及以后将对先进产线以及国产化率高的成熟产线进行同步扩产 而拉动国产设备需求：其 2019 年资本支出总金额约为 19 亿美元，与 2018 年相差不大。但是 2018 年资本支出主要用于投资 65/55nm 制程产 线，而 2019 年的资本支出全部投资到先进制程产线（包括 14-12nm 量 产线以及 N+1 研发线）。基于目前多数国产设备尚处于先进制程验证阶 段，因此估计其 2019 年最终取得的订单量有限，整体来看中芯国际 2019 年对于国产设备的拉动效果较小。但是基于中芯国际目前产能利用较紧 张，预计在 2020 年会扩产（包括成熟制程产线）。

在存储器 IDM 产线方面，2019 年长江存储是国产设备需求的主要 拉动力，2020 年及以后多条国产存储产线将迎来扩产并陆续下达订单。 合肥长鑫 2020 年将迎来扩产周期，产能提高一倍达到 4 万片/月：合肥 长鑫采用 19 纳米工艺技术，其 8Gb DRAM 在 2019 年 10 月正式量产。 根据 EE Time 和 SEMI，目前长鑫已经完成合肥 Fab1 以及研发中心的建 设，月产能达到 2 万片，并且其计划在 2020 年第二季度将产能提高一 倍，达到 4 万片/月。为了提升产量，公司还计划建造另外两座晶圆厂。