关键半导体设备国产化研究报告：大陆自主晶圆厂投产进度（22页）

2019年Q2起大陆自主晶圆厂进入投产高峰，未来三年半导体设备需求迎来爆发式增长。根据2017年至 今大陆自主晶圆厂开工以及投产情况统计，测算未来19-22年半导体设备总投资在700美元左右，同比 2018年120亿美元有很大增长空间，且大陆自主晶圆厂国产化率友好度远高于2018年海外复制线，晶圆厂 本身扩产有降本的采购需求，有利于国产化率的提升，2018年国产化率不到5%，提升空间巨大。

分器件梳理半导体设备国产化进程：28nm以下中低端制程是目前国产设备角逐的主战场；功率 &Special工艺要求相对较低好验证，但与二手设备竞争激烈；存储器件工艺上具有一定难度，国产设备 积累较少，但我们认为突破性价比高，主要基于：①国内大力发展存储产业，新增产能较多；②存储器 件结构大量相同单元叠加设备参数要求相对单一适宜批量生产；③存储器同质化竞争激烈，存储企业必 须依靠规模效应体现竞争力将不断扩充生产线，一旦通过认证将为国产设备提供源源不断的订单需求。

北方华创与中微公司引领国产替代，关键层设备在长存项目国产化率快速提升。根据公开招标数据显 示，长江存储历次规模化招标时点基本与新产品（32层/64层 NAND)研发节奏同步，并于2019年9月份开 启第三轮招标，预计为2021年10万片/月产能做准备。根据前两轮关键层设备招标情况分析，中微公司 28nm以下Dielectric刻蚀已进入量产阶段，并率先通过14nm部分工艺验证；北方华创硅刻蚀设备19年3月 首次批量进入长存供应链，等离子刻蚀设备于10月实现重复中标。PVD领域北方华创在Hard Mask及AlPad环节已有订单突破，未来CuBS核心工艺验证通过将成为新的业绩增长点。同时北方华创在氧化扩散工 艺第二轮中标40台，占据主要市场份额。