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手机产业链研究报告:芯片、储存、系统、摄像、指纹识别、耳机(112页)

行业报告下载 2019-08-28 42 管理员

国产替代历史性机遇开启,今年正式从主题概念到业绩兑现。逆势方显优质公司本色, 为什么在 19H1 行业下行周期中 A 股半导体公司迭超预期,优质标的国产替代、结构改 善逐步兑现至报表是核心原因。 中国半导体供应链长期市值空间探讨:东方半导体产业链生态重塑,与以往不同,建立 完整、独立自主核心技术的半导体工业体系是大势所趋,半导体大国、强国崛起之路, 独立自主的核心技术才是王道,科技红利之有效研发投入,才是建立独立自主核心技术 体系的唯一手段。根据 Wind 数据显示,中国半导体进口额占全球半导体销售额 65%, 巨大国内市场内需、终端厂商能力、摩尔定律放缓推动国内公司进入良性快速发展,随 着科技红利的迭加,市场份额的切入,相比海外巨头 500 亿美金、千亿美金市值,中国 公司第一步在市场纵深领域出现一批千亿级别公司是大概率事件。

海思国产链传导受益路径分析:  代工订单:海思加大自研力度,追单台积电先进制程,同时传统制程向中芯国际大 量转移,从而台积电、中芯国际产能利用率提升受益;  封测订单:第一重受益海思自研产品提升(总盘子提升),第二重受益封测订单由安 靠等海外厂商向国内代工龙头长电科技、华天科技等厂商转移,从而长电科技、华 天科技、通富微电等封测厂商产能利用率提升;  配套设备&材料:国内供应链占比提升后,国内封测厂追加产能,CAPEX 提升,从 而配套设备供应商及材料供应商或将从中受益。 1.4 半导体之存储:5G 大幅催生数据存储需求。 我们持续强调第四波硅含量提升周期的三大核心创新驱动是 5G 支持下的 AI、物联网、 智能驾驶,从人产生数据到接入设备自动产生数据,数据呈指数级别增长。智能驾驶智 能安防对数据样本进行训练推断、物联网对感应数据进行处理等大幅催生内存性能与存 储需求,数据为王。 所有数据都需要采集、存储、计算、传输,存储器比重有望持续提升。同时传感器、微 处理器(MCU/AP)、通信(RF、光通讯)环节也将直接受益。我们强调,第四次波硅含 量提升周期,存储器芯片是推动半导体集成电路芯片行业上行的主要抓手,密切关注大 陆由特殊、利基型存储器向先进存储有效积累、快速发展进程。 存储器占半导体市场规模增量 70%以上。从全球集成电路市场结构来看,全球半导体 贸易统计组织预计 2018 年全球集成电路市场规模达 4015.81 亿美元,相较于本轮景气 周期起点 2016 年增长了 1249 亿美元。而存储器 18 年市场规模达 1651.10 亿美元,相 较 2016 年增长了 883 亿美元,占增量比重达 71%,是本轮景气周期的主要推手。

我们认为利基型产品先于主流存储产品见底,其中 2D SLC NAND 率先见底,整体顺序: 2D SLC NAND Flash→3D NAND Flash→NOR Flash→DRAM。 我们认为当前日韩贸易争端发展趋势将直接决定 2019 年 DRAM 能否提前见底甚至反 转,目前三星+海力士在全球 DRAM/NAND Flash 领域占据绝对领先份额,在核心材料出 口受限下的风险敞口分别对应约 64.7%/45.8%。我们认为一旦发生实质性减产,则 DRAM与NAND将在短期内结束下行周期,大概率迎来景气反转及短期价格大幅反弹。 如果不考虑日韩贸易争端或者后续迅速缓和,我们认为在当前 DRAM 资本开支锐减、 同时下游需求随着数据中心增速恢复、5G 换机周期开启带动下,有望于 19Q4-20Q1 见底。 东芝停电加速库存出清,利基型产品率先反弹。NAND Flash 在经历短期大幅跌价、去库 存后,价格在 19Q2 进入底部区间,同时除 Intel 外,东芝、三星、美光、海力士均有不 同程度减产,下游库存水位率先见底。 东芝在 6 月中旬的停电事件更是加速 SLC NAND 库存出清,东芝停电工厂为 Yokkaichi 市 Y2-Y6,但由于恢复供电时间不同、对 FAB 厂影响程度不一。

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标签: 3C电子|微纳电子|家电

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